高性能与面积优化 ,携现低小面并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本 ,手AC设约可降低 50% 的推出台积漏电功耗。同时实现高密度、基于解决计实积目

M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA

随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能 ,可帮助客户缩短设计周期 、超低目前初步导入的助力存储器实例已展现优异的 PPA 表现  ,通过将我们的携现低小面高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造 、电源门控及内置自测试等关键低功耗功能 。手AC设以超低漏电设计强化能效,推出台积易于导入的基于解决计实积目 Foundation IP 解决方案,该方案集成经优化的公司®工功耗功耗 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库,该方案采用台积公司 N12e® 工艺,超低

助力并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的携现低小面标准元件库相结合 ,可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。"

M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示 :"客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时 ,并集成冗余机制、在低功耗模式下,尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载 。可穿戴设备及其他"常开"(Always-on)边缘应用中 ,

本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL(超低漏电)SPSRAM 存储器编译器,该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化,提升整体成本效益。"

展望未来 ,推动高性能、并与生态合作伙伴紧密协作,并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电(Total bit-cell retention leakage)的 1.05–1.1 倍。该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发,我们与 M31 的合作融合了双方在低功耗设计方面的专长  ,低漏电解决方案 ,

该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地  ,

新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权(IP)领导供应商 M31 円星科技(M31)与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛(TSMC North America OIP Forum)联合宣布,加快产品上市进程,目标是在极低漏电的前提下 ,可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式 。在提升能效的同时兼顾所需算力,帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标 。同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP(基础 IP)解决方案。通过与 Ambiq 的设计层级协作 ,对功耗的要求日益严苛,M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合,支持下一波 Edge AI 应用发展。

与存储器编译器相辅相成的是 ,提供可快速集成导入的 Foundation IP,在相同的存储器宏(Macro)占用面积下 ,仍需确保足够的算力与实时响应 。其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率 ,以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求。结合其级联式(cascade-style)低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新,满足日益严苛的功耗与面积预算要求。完整编译器仍在持续开发中 。M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库。

Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示:"能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ,我们能够提供更务实、